反向传输电容(Crss):1.1pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.43Ω@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):590pF@100V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.1pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.43Ω@10V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 25W | |
输入电容(Ciss) | 590pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.4/个 |
10+ | ¥5.22/个 |
50+ | ¥4.63/个 |
100+ | ¥4.05/个 |
500+ | ¥3.7/个 |
1000+ | ¥3.52/个 |
2000+ | ¥3.48/个 |
4000+ | ¥3.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.2596
50 PCS/盘
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