反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,8.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):1950pF@100V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,8.5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 1950pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.09/个 |
| 10+ | ¥16.09/个 |
| 30+ | ¥14.22/个 |
| 100+ | ¥12.3/个 |
| 500+ | ¥11.43/个 |
| 1000+ | ¥11.05/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.0824
50 PCS/盘
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