反向传输电容(Crss):35pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.29Ω@10V,10A,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@480V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):1500pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.29Ω@10V,10A | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 54nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 1500pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥34.84/个 |
10+ | ¥30.05/个 |
50+ | ¥27.21/个 |
100+ | ¥24.33/个 |
500+ | ¥23/个 |
1000+ | ¥22.4/个 |
2000+ | ¥22.13/个 |
2002+ | ¥22.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥25.0332
50 PCS/盘
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