反向传输电容(Crss):0.6pF@100V,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC@640V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):130pF@100V,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.6pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@640V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 60W | |
输入电容(Ciss) | 130pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.65/个 |
10+ | ¥6.5/个 |
30+ | ¥6.4/个 |
100+ | ¥6.29/个 |
500+ | ¥6.29/个 |
1000+ | ¥6.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.888
50 PCS/盘
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