反向传输电容(Crss):40pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.22Ω@10V,10A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):53nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):1380pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.22Ω@10V,10A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 214W | |
输入电容(Ciss) | 1380pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥43.87/个 |
10+ | ¥42.97/个 |
30+ | ¥42.36/个 |
90+ | ¥41.76/个 |
92+ | ¥41.76/个 |
94+ | ¥41.76/个 |
整盘
单价
整盘单价¥38.9712
30 PCS/盘
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