反向传输电容(Crss):16pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.25Ω@10V,9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@720V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):1645pF@100V,连续漏极电流(Id):18.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 16pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.25Ω@10V,9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 43nC@720V | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
输入电容(Ciss) | 1645pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥42.923/个 |
10+ | ¥32.908/个 |
30+ | ¥25.918/个 |
100+ | ¥23.694/个 |
102+ | ¥23.694/个 |
104+ | ¥23.694/个 |
500+ | ¥23.41/个 |
1000+ | ¥23.41/个 |
整盘
单价
整盘单价¥25.918
30 PCS/盘