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STW45N60DM6
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW45N60DM6
- 商品编号
- C501089
- 商品封装
- TO-247
- 商品毛重
- 0.00683千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2pF@100V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1920pF@100V,连续漏极电流(Id):30A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.75V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1920pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥38.25/个 |
| 10+ | ¥33.41/个 |
| 30+ | ¥30.46/个 |
| 100+ | ¥27.98/个 |
| 102+ | ¥27.98/个 |
| 104+ | ¥27.98/个 |
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