反向传输电容(Crss):3pF@100V,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,23A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):92nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):446W,输入电容(Ciss):3230pF@100V,连续漏极电流(Id):46A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,23A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 446W | |
输入电容(Ciss) | 3230pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 46A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥73.0236/个 |
10+ | ¥69.779/个 |
30+ | ¥64.155/个 |
100+ | ¥59.241/个 |
102+ | ¥59.241/个 |
104+ | ¥59.241/个 |
整盘
单价
整盘单价¥64.155
30 PCS/盘