反向传输电容(Crss):6.9pF,导通电阻(RDS(on)):38mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):66nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):341W,输入电容(Ciss):3708pF,输出电容(Coss):107pF,连续漏极电流(Id):83A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 341W | |
| 输入电容(Ciss) | 3708pF | |
| 输出电容(Coss) | 107pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥30.039/个 |
| 10+ | ¥25.793/个 |
| 30+ | ¥23.275/个 |
| 90+ | ¥20.72/个 |
| 510+ | ¥19.542/个 |
| 990+ | ¥19.0095/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.413
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