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WNM6002-3/TR
扩展库- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 厂家型号
- WNM6002-3/TR
- 商品编号
- C501342
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000032千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):5.2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.7Ω@4.5V,0.2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.2nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):23.37pF,连续漏极电流(Id):0.3A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V,0.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 23.37pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
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|---|---|
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