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BSP372NH6327
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- BSP372NH6327
- 商品编号
- C501499
- 商品封装
- SOT-223
- 商品毛重
- 0.000141千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):28pF@25V,导通电阻(RDS(on)):230mΩ@10V,1.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):329pF@25V,连续漏极电流(Id):1.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V,1.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 329pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.63/个 |
| 10+ | ¥2.08/个 |
| 30+ | ¥1.84/个 |
| 100+ | ¥1.55/个 |
| 500+ | ¥1.42/个 |
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