反向传输电容(Crss):36pF@40V,导通电阻(RDS(on)):4.7mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):69nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 36pF@40V | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.68/个 |
10+ | ¥7.095/个 |
30+ | ¥6.728/个 |
100+ | ¥5.88/个 |
500+ | ¥5.708/个 |
1000+ | ¥5.633/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.633
5000 PCS/盘