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N沟道 650V 45A
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BMW65N075UC1
- 商品编号
- C50153971
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):3.55pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):81nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):312W,输入电容(Ciss):4640pF,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 输入电容(Ciss) | 4640pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.24/个 |
| 10+ | ¥10.422/个 |
| 30+ | ¥9.288/个 |
| 90+ | ¥8.118/个 |
| 450+ | ¥7.596/个 |
| 900+ | ¥7.371/个 |
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