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BMW65N040UC1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BMW65N040UC1
- 商品编号
- C50153972
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF@50V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):133nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500W,输入电容(Ciss):8100pF@50V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 输入电容(Ciss) | 8100pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
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