温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
N沟道 650V 55A
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BMW65N065UC1
- 商品编号
- C50153973
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.007919千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF@100V,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):73nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500W,输入电容(Ciss):3990pF@100V,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V@1000uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 输入电容(Ciss) | 3990pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@1000uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥15.28/个 |
| 10+ | ¥13.01/个 |
| 30+ | ¥11.59/个 |
| 90+ | ¥10.14/个 |
| 450+ | ¥9.48/个 |
| 900+ | ¥9.2/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥10.6628
30 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉27.816元
库存总量
276 PCS电话
顶部
元器件购物车