反向传输电容(Crss):8.2pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):110nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):253W,输入电容(Ciss):3070pF,输出电容(Coss):129pF,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 253W | |
| 输入电容(Ciss) | 3070pF | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥18.9/个 |
| 10+ | ¥15.96/个 |
| 30+ | ¥14.12/个 |
| 90+ | ¥12.24/个 |
| 510+ | ¥11.39/个 |
| 990+ | ¥11.02/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.9904
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