反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@2.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):550pF@10V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9.5nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 550pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.599/个 |
100+ | ¥0.524/个 |
300+ | ¥0.486/个 |
1000+ | ¥0.458/个 |
6000+ | ¥0.436/个 |
12000+ | ¥0.424/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.42136
3000 PCS/盘
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