反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):3550pF@25V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 120W | |
输入电容(Ciss) | 3550pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.12/个 |
10+ | ¥3.54/个 |
30+ | ¥3.29/个 |
100+ | ¥2.98/个 |
500+ | ¥2.84/个 |
1000+ | ¥2.76/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.0268
50 PCS/盘
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