反向传输电容(Crss):96pF,反向传输电容(Crss):160pF,导通电阻(RDS(on)):15.8mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):11.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):22.9nC@10V,栅极电荷量(Qg):38.2nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):964pF,输入电容(Ciss):1780pF,输出电容(Coss):209pF,输出电容(Coss):109pF,连续漏极电流(Id):8A,连续漏极电流(Id):12A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1780pF | |
| 输出电容(Coss) | 209pF | |
| 输出电容(Coss) | 109pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.865/个 |
| 50+ | ¥1.434/个 |
| 150+ | ¥1.25/个 |
| 500+ | ¥1.0193/个 |
| 2500+ | ¥0.917/个 |
| 4000+ | ¥0.855/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.7866
4000 PCS/盘
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