反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@30V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):930pF@30V,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@30V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 3.1W | |
输入电容(Ciss) | 930pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.906/个 |
50+ | ¥0.731/个 |
150+ | ¥0.643/个 |
500+ | ¥0.577/个 |
2500+ | ¥0.506/个 |
5000+ | ¥0.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.46552
2500 PCS/盘
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