反向传输电容(Crss):1.5pF,导通电阻(RDS(on)):89mΩ@10V,19A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):322W,输入电容(Ciss):3200pF@50V,连续漏极电流(Id):38A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 89mΩ@10V,19A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 322W | |
| 输入电容(Ciss) | 3200pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.25/个 |
| 10+ | ¥11.88/个 |
| 30+ | ¥10.39/个 |
| 90+ | ¥8.87/个 |
| 510+ | ¥8.18/个 |
| 1200+ | ¥7.88/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.5588
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