反向传输电容(Crss):1.5pF@50V,导通电阻(RDS(on)):89mΩ@10V,19A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):3200pF@50V,连续漏极电流(Id):38A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.5pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 89mΩ@10V,19A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 36W | |
输入电容(Ciss) | 3200pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 38A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.66/个 |
10+ | ¥10.74/个 |
50+ | ¥9.53/个 |
100+ | ¥8.3/个 |
500+ | ¥7.75/个 |
1000+ | ¥7.5/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.7676
50 PCS/盘
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