反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@10V,10.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):188W,输入电容(Ciss):2.25nF@50V,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,10.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 188W | |
输入电容(Ciss) | 2.25nF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 21A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.06/个 |
10+ | ¥8.4/个 |
30+ | ¥7.48/个 |
100+ | ¥6.45/个 |
500+ | ¥5.99/个 |
800+ | ¥5.78/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.3176
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