反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):330mΩ@10V,7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@480V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):32.6W,输入电容(Ciss):870pF@50V,连续漏极电流(Id):11.5A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,7A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 32.6W | |
输入电容(Ciss) | 870pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.2/个 |
10+ | ¥4.23/个 |
50+ | ¥3.74/个 |
100+ | ¥3.26/个 |
500+ | ¥2.97/个 |
1000+ | ¥2.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.4408
50 PCS/盘
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