反向传输电容(Crss):81pF@40V,导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):105nC,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):220W,输入电容(Ciss):8500pF@40V,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 81pF@40V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,80A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
耗散功率(Pd) | 220W | |
输入电容(Ciss) | 8500pF@40V | |
连续漏极电流(Id) | 160A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.53/个 |
10+ | ¥5.45/个 |
50+ | ¥4.86/个 |
100+ | ¥4.19/个 |
500+ | ¥3.89/个 |
1000+ | ¥3.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.4712
50 PCS/盘
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