反向传输电容(Crss):10.8pF@75V,导通电阻(RDS(on)):59mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@75V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):68W,输入电容(Ciss):600pF@75V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10.8pF@75V | |
导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V,10A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@75V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 68W | |
输入电容(Ciss) | 600pF@75V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥2.8/个 |
10+ | ¥2.19/个 |
50+ | ¥1.93/个 |
100+ | ¥1.61/个 |
500+ | ¥1.47/个 |
1000+ | ¥1.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.7756
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉7.72元