反向传输电容(Crss):4.3pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@125V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):1600pF@125V,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 24nC@125V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 1600pF@125V | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.23/个 |
10+ | ¥4.1/个 |
30+ | ¥3.54/个 |
100+ | ¥2.98/个 |
500+ | ¥2.65/个 |
1000+ | ¥2.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.2568
50 PCS/盘
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