反向传输电容(Crss):55pF@15V,反向传输电容(Crss):72pF@15V,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,11.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):5.25W,输入电容(Ciss):545pF@15V,输入电容(Ciss):580pF@15V,连续漏极电流(Id):12A,连续漏极电流(Id):11.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 72pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,11.5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 5.25W | |
输入电容(Ciss) | 545pF@15V | |
输入电容(Ciss) | 580pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.214/个 |
50+ | ¥1.0667/个 |
150+ | ¥1.0035/个 |
500+ | ¥0.925/个 |
2500+ | ¥0.77/个 |
5000+ | ¥0.749/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.77
2500 PCS/盘