反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):13pF,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 13pF | |
连续漏极电流(Id) | 100mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.181/个 |
200+ | ¥0.147/个 |
600+ | ¥0.127/个 |
3000+ | ¥0.0966/个 |
9000+ | ¥0.0867/个 |
21000+ | ¥0.0813/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08887
3000 PCS/盘
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