反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,0.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):420mW,输入电容(Ciss):30pF,连续漏极电流(Id):180mA,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,0.1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 420mW | |
输入电容(Ciss) | 30pF | |
连续漏极电流(Id) | 180mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.216/个 |
200+ | ¥0.169/个 |
600+ | ¥0.143/个 |
3000+ | ¥0.127/个 |
9000+ | ¥0.114/个 |
21000+ | ¥0.106/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11684
3000 PCS/盘
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