反向传输电容(Crss):11pF@30V,导通电阻(RDS(on)):9.7mΩ@10V,12A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39.8nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):1634pF@30V,连续漏极电流(Id):14A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V,12A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 39.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 1634pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 14A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.8/个 |
50+ | ¥1.412/个 |
150+ | ¥1.246/个 |
500+ | ¥1.0384/个 |
2500+ | ¥0.946/个 |
4000+ | ¥0.891/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.81972
4000 PCS/盘
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