反向传输电容(Crss):396pF@15V,导通电阻(RDS(on)):3.1mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):54nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):2412pF@15V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 396pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 2412pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.443/个 |
50+ | ¥1.132/个 |
150+ | ¥0.999/个 |
500+ | ¥0.833/个 |
2500+ | ¥0.759/个 |
4000+ | ¥0.715/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.6578
4000 PCS/盘
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