反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):9.8mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.9nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1800pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 200pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.9nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1800pF | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.317/个 |
10+ | ¥1.0562/个 |
30+ | ¥0.944/个 |
100+ | ¥0.805/个 |
500+ | ¥0.743/个 |
1000+ | ¥0.638/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.58696
3000 PCS/盘
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