反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):9.8mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.9nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1800pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.317/个 |
| 10+ | ¥1.0562/个 |
| 30+ | ¥0.944/个 |
| 100+ | ¥0.805/个 |
| 500+ | ¥0.743/个 |
| 1000+ | ¥0.638/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.58696
3000 PCS/盘
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