块擦除时间(tBE):1ms,存储容量:8Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:100uA,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):300us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 1ms | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥58.86/个 |
| 10+ | ¥50.09/个 |
| 30+ | ¥44.75/个 |
| 96+ | ¥40.27/个 |
| 98+ | ¥40.27/个 |
| 100+ | ¥40.27/个 |
整盘
单价
整盘单价¥40.269
96 PCS/盘