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WCM2079-8/TR
扩展库- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 厂家型号
- WCM2079-8/TR
- 商品编号
- C506226
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000189千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):74pF,反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):0.02Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,5.5A,导通电阻(RDS(on)):0.028Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):429pF,输入电容(Ciss):1109pF,输出电容(Coss):81pF,输出电容(Coss):167pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.02Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.028Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 429pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1109pF | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 输出电容(Coss) | 167pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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