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WNM01N10-3/TR
扩展库- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 厂家型号
- WNM01N10-3/TR
- 商品编号
- C506233
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000037千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):14.2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.255Ω@4.5V,1.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):350pF,连续漏极电流(Id):1.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.2pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.255Ω@4.5V,1.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
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|---|---|
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