反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@10V,13A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):61nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):180W,输入电容(Ciss):1400pF@25V,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,13A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 180W | |
输入电容(Ciss) | 1400pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 21A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥8.85/个 |
10+ | ¥8.06/个 |
25+ | ¥7.57/个 |
100+ | ¥6.929/个 |
500+ | ¥6.703/个 |
1000+ | ¥6.615/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.9644
25 PCS/盘
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