反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):120nC@10V,漏源电压(Vdss):1000V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1600pF@25V,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,2.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 1000V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 1600pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥15.67/个 |
10+ | ¥14.94/个 |
25+ | ¥13.79/个 |
100+ | ¥13.35/个 |
500+ | ¥13.15/个 |
1000+ | ¥13.06/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.6868
25 PCS/盘
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