反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):850mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):156W,输入电容(Ciss):527pF@100V,连续漏极电流(Id):8.7A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 输入电容(Ciss) | 527pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | 
| 梯度 | 售价 | 
|---|---|
| 1+ | ¥7.41/个 | 
| 10+ | ¥6.21/个 | 
| 30+ | ¥5.55/个 | 
| 100+ | ¥4.57/个 | 
| 500+ | ¥4.247/个 | 
| 1000+ | ¥4.104/个 | 
整盘
单价
整盘单价¥5.106
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉22.2元