反向传输电容(Crss):29pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.2Ω@10V,4.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):300pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):7.7A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.2Ω@10V,4.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.58/个 |
| 10+ | ¥4.65/个 |
| 30+ | ¥4.19/个 |
| 75+ | ¥3.72/个 |
| 525+ | ¥3.45/个 |
| 975+ | ¥3.3/个 |
| 2025+ | ¥3.27/个 |
| 3975+ | ¥3.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.4224
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