反向传输电容(Crss):235pF@10V,导通电阻(RDS(on)):0.0046Ω@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2110pF@10V,连续漏极电流(Id):19.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0046Ω@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2110pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.09/个 |
| 10+ | ¥6.36/个 |
| 30+ | ¥5.96/个 |
| 100+ | ¥5.4/个 |
| 500+ | ¥5.204/个 |
| 1000+ | ¥5.116/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.116
2500 PCS/盘