反向传输电容(Crss):15pF@20V,导通电阻(RDS(on)):0.02Ω@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.4nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):580pF@20V,输出电容(Coss):100pF,连续漏极电流(Id):7.4A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.02Ω@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.26/个 |
| 10+ | ¥4.22/个 |
| 30+ | ¥3.7/个 |
| 100+ | ¥2.999/个 |
| 500+ | ¥2.707/个 |
| 1000+ | ¥2.557/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.545
2500 PCS/盘
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