反向传输电容(Crss):66pF@20V,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):1154pF@20V,连续漏极电流(Id):5.1A,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,4.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 1154pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.193/个 |
| 10+ | ¥2.666/个 |
| 30+ | ¥2.406/个 |
| 100+ | ¥2.145/个 |
| 500+ | ¥1.984/个 |
| 1000+ | ¥1.903/个 |
| 2500+ | ¥1.891/个 |
| 5000+ | ¥1.879/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.891
2500 PCS/盘