导通电阻(RDS(on)):160mΩ@4.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.4nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):840mW,输入电容(Ciss):156pF@6V,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 840mW | |
输入电容(Ciss) | 156pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.763/个 |
50+ | ¥0.599/个 |
150+ | ¥0.518/个 |
500+ | ¥0.456/个 |
3000+ | ¥0.385/个 |
6000+ | ¥0.361/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.361
3000 PCS/盘
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