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DMN65D8LQ-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN65D8LQ-7
- 商品编号
- C508203
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000033千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.87nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):370mW,输入电容(Ciss):22pF@25V,连续漏极电流(Id):310mA,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.87nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.305/个 |
| 100+ | ¥0.217/个 |
| 300+ | ¥0.166/个 |
| 3000+ | ¥0.148/个 |
| 6000+ | ¥0.134/个 |
| 9000+ | ¥0.127/个 |
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