反向传输电容(Crss):38pF@15V,导通电阻(RDS(on)):180mΩ@4.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):531pF@15V,连续漏极电流(Id):1.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 531pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.557/个 |
50+ | ¥0.443/个 |
150+ | ¥0.386/个 |
500+ | ¥0.343/个 |
3000+ | ¥0.267/个 |
6000+ | ¥0.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24564
3000 PCS/盘
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