导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):178nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):480W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):230A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
耗散功率(Pd) | 480W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 230A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥20.2/个 |
10+ | ¥17.27/个 |
30+ | ¥15.43/个 |
100+ | ¥13.55/个 |
500+ | ¥12.7/个 |
1000+ | ¥12.33/个 |
2000+ | ¥12.18/个 |
4000+ | ¥12.09/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.1956
50 PCS/盘
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