反向传输电容(Crss):58pF@15V,反向传输电容(Crss):97pF@15V,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,6A,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):18.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):388pF@15V,输入电容(Ciss):926pF@15V,连续漏极电流(Id):7A,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):3V,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 58pF@15V | |
反向传输电容(Crss) | 97pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,6A | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 18.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 388pF@15V | |
输入电容(Ciss) | 926pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.897/个 |
50+ | ¥0.691/个 |
150+ | ¥0.603/个 |
500+ | ¥0.493/个 |
2500+ | ¥0.444/个 |
4000+ | ¥0.415/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.415
4000 PCS/盘