反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):112mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):26.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):34.7W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 34.7W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.22/个 |
50+ | ¥0.958/个 |
150+ | ¥0.846/个 |
500+ | ¥0.706/个 |
2500+ | ¥0.643/个 |
5000+ | ¥0.606/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.59156
2500 PCS/盘
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