反向传输电容(Crss):141pF@15V,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):52.1W,输入电容(Ciss):3635pF@15V,输出电容(Coss):224pF,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 3635pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 224pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.72/个 |
| 50+ | ¥2.17/个 |
| 150+ | ¥1.94/个 |
| 500+ | ¥1.51/个 |
| 2500+ | ¥1.38/个 |
| 5000+ | ¥1.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.2696
2500 PCS/盘
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